硅片氧沉淀特性的测试　间隙氧含量减少法

Test method for oxygen precipition characteristics of silicon wafers—Interstitial oxygen reduction

标准介绍

本文件描述了通过硅片热处理前后间隙氧含量的减少量来测试硅片氧沉淀特性的方法。
本文件适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶片和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的p型硅单晶片氧沉淀特性的测试。

提出部门

全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC　203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

发布部门

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会