碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法

Gate charge test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors（SiC MOSFET）

标准介绍

本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的栅极电荷测试方法，包括：测试原理、测试电路、测试条件以及数据处理方法。 本文件仅适用于增强型N沟道垂直SiC MOSFET器件特性表征及可靠性测试等工作场景，可用于以下测试目标器件： a） 增强型N沟道垂直SiC MOSFET分立器件晶圆级及封装级产品； b） 含增强型N沟道垂直SiC MOSFET器件的功率模块。

提出部门

北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

发布部门

第三代半导体产业技术创新战略联盟